SiLM2660/61是用于电池充（chōng）电/放（fàng）电（diàn）系统控制的（de）低功耗（hào）、高边N沟道FET驱动器。高边保护（hù）功（gōng）能（néng）可避免系统的接地引脚断开（kāi）连接，以确（què）保电池（chí）组和主机（jī）系统之间的持续（xù）通（tōng）信。SiLM2660具有额（é）外的（de）PFET控制（zhì）输出，以允许（xǔ）对深度放电（diàn）的电池（chí）进行低电流预充电（diàn），并且还集成了用于主（zhǔ）机监控的电池PACK+电压检（jiǎn）测。
独立的（de）使能（néng）输入接口允许电池充电和放电FET分（fèn）别导通和关（guān）断（duàn），为电池（chí）系统保护提供可靠性和设（shè）计（jì）灵活性。
高边NFET驱动器（qì），具有极短的开启和关闭时间，用于迅速（sù）保（bǎo）护电池。
预充电PFET驱动器为深度耗（hào）尽（jìn）的电池（chí）组提供电（diàn）流限制的预（yù）充电功能(仅适用于SiLM2660)。
充电和放电的独立使能控制。
基于外（wài）部电（diàn）容器（qì）可扩展的电荷（hé）泵，可适用多（duō）颗NFET并联驱动。
高的输入耐压值（最（zuì）大100V）。
可配置（zhì）的电池组电压（yā）检测功能（néng）（仅适用于（yú）SiLM2660）。
支持可（kě）配置的通（tōng）用和独立充电和（hé）放电路径管（guǎn）理。
低功耗：正常（cháng）模式：40uA；待机模式：小于10uA。
400 080 9938
