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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥驱动

样片申请

SiLM2024 Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性（xìng）

安规认证

典（diǎn）型应用图

产品概（gài）述

SiLM2024 是一款高压、高速的功（gōng）率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器。采用专（zhuān）有的高压集成电路和锁存（cún）免（miǎn）疫的CMOS技（jì）术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输（shū）入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有高脉冲电流缓冲级，以减小（xiǎo）驱动器交叉导通（tōng）。浮动通道可用于驱（qū）动高边配置的N型沟道（dào）功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电（diàn）压可高达200V。

产品特性

为（wéi）自举（jǔ）操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达（dá） 200V

容许瞬间负电压（yā），不（bú）受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电源范（fàn）围从 10V 到 20V

欠（qiàn）压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入兼容

驱动电流：290mA/600mA

典型的开通/关断延时：680 ns/150 ns

死区时（shí）间：520 ns

防（fáng）止交叉导（dǎo）通逻辑

两通道（dào）间匹配（pèi）传输延迟