SiLM27519 器件是单通道高速低边门(mén)极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用一种(zhǒng)能够从内部极大的降低直(zhí)通电流的设计,将高(gāo)峰值的源电流和灌(guàn)电流脉冲提供给(gěi)电容负载,以(yǐ)实现(xiàn)轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传(chuán)播(bō)延(yán)迟(chí)。
SiLM27519 在(zài) 12V 的 VDD 供电情况下(xià),能够提(tí)供 4A 的(de)峰值源电流和 5A 的峰值(zhí)灌电流(liú)。
低成(chéng)本的门极驱动方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源电流(liú)和 5A 的峰值灌电流能力
快(kuài)速(sù)的传输延时(典型值为 18ns)
快速(sù)的上升和下降时间(典型值(zhí)为(wéi) 7ns/5ns)
4.5V 到 20V 的单电源范围(wéi)
VDD 欠压闭锁功(gōng)能
兼容(róng) TTL 和(hé) CMOS 的输入逻辑电压阈值
双输入设计(可选择反(fǎn)相或(huò)非(fēi)反相驱动配置(zhì))
输入浮空时输(shū)出保持为低(dī)
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的封(fēng)装选(xuǎn)项
400 080 9938