SLM21867是一款高压、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器，它提（tí）供独立的高边、低边输出驱动信号。采用专有的高（gāo）压集成（chéng）电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动（dòng）方（fāng）案（àn）。逻辑输入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低支（zhī）持（chí）3.3V逻辑。输出（chū）驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动（dòng）器交叉导通。延（yán）时（shí）匹配很方便应（yīng）用于高频设备。浮（fú）动通（tōng）道可用于驱动高（gāo）边（biān）配置（zhì）的N型（xíng）沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压可（kě）高达600V。
为自举供电设计的浮动通道
全电（diàn）压（yā）范围运行达600V
低VCC工作范（fàn）围
允许瞬态负电压，不（bú）受dV/dt影响
驱（qū）动电源范围从7V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V逻辑兼容
输入有下（xià）拉（lā）电阻的COMS斯密（mì）特触发器
两通道间（jiān）匹配传输（shū）延时
输入输出（chū）同相
典型开通/关断延时：170ns/170ns
典型驱动电流（liú）：2.5A/3.5A
400 080 9938
