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SLM2005E

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2005E Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特性

安规认证

典型应用（yòng）图

产（chǎn）品概述

SLM2005E 是一款高（gāo）压（yā）、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器。采（cǎi）用专有的高（gāo）压集成电（diàn）路（lù）和锁存免疫的（de）CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑（jí）输（shū）入电平与（yǔ）标（biāo）准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出（chū）驱动器具有高脉冲（chōng）电流缓冲级，以（yǐ）减（jiǎn）小驱动（dòng）器（qì）交叉导（dǎo）通。浮动通道可（kě）用于（yú）驱动（dòng）高边配置（zhì）的N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特（tè）性

为（wéi）自举操作（zuò）设计（jì）的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容（róng）许瞬间负（fù）电压，不（bú）受（shòu） dV/dt 影响

驱动电（diàn）源范围从 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉（chā）导通逻辑

两通道（dào）间匹配（pèi）传（chuán）输延迟

输（shū）出信号（hào）与输入（rù）信号同相

通（tōng）过无铅认（rèn）证