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SLM2003S

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2003S Datasheet.

产品概述

产品特性

安规认证

典型应（yīng）用（yòng）图（tú）

产品概（gài）述

SLM2003S 是（shì）一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用（yòng）专有的高压集（jí）成电路和锁存免疫的CMOS技术可提（tí）供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输（shū）入电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具（jù）有高脉冲（chōng）电流（liú）缓冲级，以（yǐ）减小驱动器交叉导通（tōng）。浮（fú）动通道可用于驱动高边配置的N型沟道（dào）功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产品特性

为（wéi）自举操作设计的浮动通道

完全运行时（shí）电压高达 200V

容许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范围从 10V 到 20V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱动（dòng）电流：290 mA/600 mA

防止交（jiāo）叉导通（tōng）逻辑

两通道间（jiān）匹配传输延（yán）迟

通（tōng）过无铅认证

提供 SOP-8 封（fēng）装选项（xiàng）