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SLM2003E

200V低压驱动芯片

样片（piàn）申请（qǐng）

SLM2003E Datasheet

产品概述（shù）

产品特性

安规认（rèn）证

典型应用图

产品概述

SLM2003E 是一款（kuǎn）高压、高速（sù）的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器。采用（yòng）专有的高压集成电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可提供（gòng）可靠（kào）的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与（yǔ）标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容（róng），最低支持（chí）3.3V逻辑。输（shū）出驱（qū）动器具有（yǒu）高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导（dǎo）通。浮动通道可用于驱动（dòng）高边配（pèi）置的N型沟道（dào）功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性（xìng）

为自举操作设（shè）计的浮动通道

完全运行时电压高达（dá） 200V

容许瞬间负电压（yā），不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从（cóng） 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁（suǒ）

3.3V、5V 和 10V 逻辑输（shū）入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉（chā）导通逻辑

两通（tōng）道间（jiān）匹（pǐ）配传（chuán）输延迟

输出信号与输入信号同相

通过无铅认证